| 产品参数 | DFB 外延片 | EML 外延片 | FP 外延片 |
|---|---|---|---|
| 速率 | 2.5G/10G/25G | 10G/25G/56G | 2.5G/10G/25G |
| 波长 | 1270nm/1310nm/1490nm/1550nm | 1310nm/1550nm/1577nm | 1310nm/1550nm |
| 尺寸 | 2inch/3inch | 2inch/3inch | 2inch/3inch |
| 产品特色 |
GPON、XGPON、XGSPON、BIDI 光栅工艺（全息光栅、电子束曝光、纳米压印） |
SAG和Butt joint工艺 | 小发散角 |
| 产品说明 | 半导体激光器包括DFB、EML和FP等三大类，覆盖波长从1270nm到1610nm，应用于GPON、XGPON、XGSPON、FTTR、CWDM/DWDM、BIDI等光通信网络。全磊光电拥有零缺陷外延生长工艺和百纳米级光栅平台，激光器外延片已量产多年，产品良率高、可靠性好。全磊光电还拥有含Al材料侧向掩埋工艺和耦合异质对接生长工艺，可满足不同应用产品的制造需求。 | ||
激光器产品
探测器产品
| 产品参数 | APD 外延片 | PIN 外延片 | MPD 外延片 |
|---|---|---|---|
| 速率 | 2.5G/10G/25G | 2.5G/10G/25G/50G | — |
| 尺寸 | 2inch/3inch/4inch | 2inch/3inch/4inch | 2inch/3inch/4inch |
| 产品特色 | Zn扩散工艺 |
低暗电流 | Zn扩散工艺 |
| 产品说明 | 半导体探测器包括APD、PIN和MPD三大类，覆盖波长从650nm-1700nm,GPON、XGPON、XGSPON等光网络皆适用。PD的工作原理为(1)探测器PN结形成内建电场；(2)光入射到半导体内产生电子空穴对，并在电场作用下定向流动而产生光电流；(3)光电流导出为输出信号。探测器通常需要针对工作波长具有高的灵敏度，高响应速率、低的暗电流和高可靠度。APD是在PD的基础上采用雪崩倍增效应，将接收到的光电流放大，提升探测灵敏度。全磊光电PD及APD探测器产品已稳定量产多年，且可为客户提供Zn扩散服务。 |
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